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論文

In situ EELS and TEM observation of boron carbide(B$$_{4}$$C) during hydrogen- and hilium-ion bombardments

櫛田 浩平; 北條 喜一; 古野 茂実

Microsc. Microanal. Microstruct., 6, p.149 - 157, 1995/02

https://doi.org/10.1051/mmm:1995115
 被引用回数：13 パーセンタイル：65.31(Microscopy)

炭化ホウ素(B$$_{4}$$C)は核融合炉第一壁材料として最近注目を集めているプラズマ対向物質であり、原研のJT-60Uでは実際に使用されて良い結果をえている。B$$_{4}$$Cの基礎特性や照射損傷に関するデータが蓄積されつつあるが、本研究では今までにデータの少ないEELS(電子エネルギー損失分光法)によりB$$_{4}$$Cのイオン衝撃による物性変化のプロセスをその場観察した。16keVのH$$_{2+}$$イオン衝撃により、B$$_{4}$$Cは非晶質化をおこすが、この時の臨界フルエンスは約2$$times$$10$$^{14}$$(H$$^{+}$$)/cm$$^{2}$$sであることが、EELSスペクトルおよび制限視野電子線回折像の変化から分った。非晶質化に伴い、ホウ素のK電子の励起によるコアロススペクトルの微細構造にも変化が見られた。

論文

In-situ EELS and TEM observation of Al implanted with nitrogen ions

北條 喜一; 古野 茂実; 塚本 哲生*; 櫛田 浩平; 大津 仁; 出井 数彦*

Microsc. Microanal. Microstruct., 6, p.141 - 147, 1995/02

https://doi.org/10.1051/mmm:1995114
 被引用回数：2 パーセンタイル：23.42(Microscopy)

室温でのチッ素イオン照射にともなう窒化アルミニウム(AlN)の生成過程を透過型電顕(TEM)と透過電子エネルギー損失分光法(EELS)により、その場観察及び同一場所でのEELS測定を行った。アルミニウム膜は真空蒸着法(約1000$AA$厚)をもちいて作製した。又、イオン照射は電顕付設のイオン照射装置を用いて行った。照射条件はN$$_{2+}$$、30kV、イオン束2$$times$$10$$^{18}$$(N$$^{+}$$)/m$$^{2}$$・S、室温で行った。その結果、AlN薄膜はWurtzit型HCP構造をしていることがわかった。さらに、Nの内殻スペクトルは約400eV(低照射)から396.4eV(高照射)に変化することを明らかにした。

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